IGBT модули 1200В 62мм тип корпуса B

Производитель: Beiyi Semiconductor Technology

Эти модули предлагают стабильную работу и высокую эффективность благодаря современным полупроводниковым технологиям, обеспечивая возможность управления большими токами и напряжениями с минимальными потерями. Корпус типа B, с размерами 62 мм, обеспечивает надежное крепление и эффективное теплоотведение, что значительно увеличивает срок службы устройства.
Артикул Наименование Описание
LLG100H12E4L IGBT модуль, полумост, 62мм, 1200В, 100А Корпус 62х107х31мм, полумост, технология кристалла IGBT4 Trench-FS, Vces/Vrrm=1200В, Ic(nom)=100А, низкие статические потери, Vce(sat)=2, 0В, Uизол=4000В. Применение:сварка, источники питания, ИБП, промышленные приводы
LLG300H12E4L IGBT модуль, полумост, 62мм B, 1200В, 300А Корпус 62х107х31мм, полумост, технология кристалла IGBT4 Trench-FS, Vces/Vrrm=1200В, Ic(nom)=300А, низкие статические потери, Vce(sat)=2, 0В, Uизол=4000В. Применение:сварка, источники питания, ИБП, промышленные приводы
LLG400H12E4L IGBT модуль, полумост, 62мм B, 1200В, 400А Корпус 62х107х31мм, полумост, технология кристалла IGBT4 Trench-FS, Vces/Vrrm=1200В, Ic(nom)=400А, низкие статические потери, Vce(sat)=2, 0В, Uизол=4000В. Применение:сварка, источники питания, ИБП, промышленные приводы
LLG300H17E4L IGBT модуль, полумост, 62мм B, 1700В, 300А Корпус 62х107х31мм, полумост, технология кристалла IGBT4 Trench-FS, Vces/Vrrm=1700В, Ic(nom)=300А, низкие статические потери, Vce(sat)=2, 0В, Uизол=4000В. Применение:сварка, источники питания, ИБП, промышленные приводы
LLG450H17E4L IGBT модуль, полумост, 62мм B, 1700В, 450А Корпус 62х107х31мм, полумост, технология кристалла IGBT4 Trench-FS, Vces/Vrrm=1700В, Ic(nom)=450А, низкие статические потери, Vce(sat)=2, 0В, Uизол=4000В. Применение:сварка, источники питания, ИБП, промышленные приводы

IGBT модули 1200В,1700В, тип корпуса B, представляют собой высокоэффективные полупроводниковые устройства, используемые в различных промышленных и энергетических приложениях. Эти модули обеспечивают надежное управление мощностью в условиях высоких напряжений, что делает их идеальными для применения в инверторах, преобразователях и других системах управления электропитанием.

Ключевые характеристики:

  • Напряжение: Максимальное рабочее напряжение составляет 1700В, что позволяет использовать модули в средах с высоким уровнем электронагрузки.
  • Корпус: Тип корпуса B имеет размеры 62 мм, который оптимизирован для эффективного теплоотведения и стабильной работы при высоких токах, что критически важно для надежности и долговечности устройства.
  • Производительность: Высокая скорость переключения позволяет минимизировать потери энергии, обеспечивая при этом отличные характеристики при работе с высокими частотами.
  • Теплоотвод: Модули сконструированы с учетом эффективного теплоотведения, что способствует улучшенной надежности и снижению риска перегрева.
  • Применение: Широко используются в таких областях, как солнечные инверторы, системы управления приводами, источники бесперебойного питания (ИБП) и электрические транспортные средства.
  • Конструктивные особенности: Модули могут включать в себя встроенные элементы защиты, такие как диоды, что упрощает использование и увеличивает общую надежность системы.

IGBT модули 1700В, корпус B, являются отличным выбором для продвинутых технологических решений в области управления энергией, предоставляя высокую эффективность, надежность и устойчивость к внешним воздействиям.

Параметр Значение
Тип корпуса B
Размеры корпуса 62 x 107 x 31 мм
Конфигурация Полумост
Технология кристалла IGBT4 Trench-FS
Напряжение Vces/Vrrm 1200 В / 1700 В
Номинальный ток Ic(nom) 100 А / 300 А / 400 А / 450 А
Статические потери Низкие
Напряжение насыщения Vce(sat) 2,0 В
Изоляционное напряжение Uизол 4000 В
Применение Сварка, источники питания, ИБП, промышленные приводы
Напряжение питания, В
1200, 1700
Габариты, мм
62х107х31
Тип корпуса
B