IGBT модули 1200В 62мм тип корпуса B
Производитель: Beiyi Semiconductor Technology
Эти модули предлагают стабильную работу и высокую эффективность благодаря современным полупроводниковым технологиям, обеспечивая возможность управления большими токами и напряжениями с минимальными потерями. Корпус типа B, с размерами 62 мм, обеспечивает надежное крепление и эффективное теплоотведение, что значительно увеличивает срок службы устройства.Артикул | Наименование | Описание |
LLG100H12E4L | IGBT модуль, полумост, 62мм, 1200В, 100А | Корпус 62х107х31мм, полумост, технология кристалла IGBT4 Trench-FS, Vces/Vrrm=1200В, Ic(nom)=100А, низкие статические потери, Vce(sat)=2, 0В, Uизол=4000В. Применение:сварка, источники питания, ИБП, промышленные приводы |
LLG300H12E4L | IGBT модуль, полумост, 62мм B, 1200В, 300А | Корпус 62х107х31мм, полумост, технология кристалла IGBT4 Trench-FS, Vces/Vrrm=1200В, Ic(nom)=300А, низкие статические потери, Vce(sat)=2, 0В, Uизол=4000В. Применение:сварка, источники питания, ИБП, промышленные приводы |
LLG400H12E4L | IGBT модуль, полумост, 62мм B, 1200В, 400А | Корпус 62х107х31мм, полумост, технология кристалла IGBT4 Trench-FS, Vces/Vrrm=1200В, Ic(nom)=400А, низкие статические потери, Vce(sat)=2, 0В, Uизол=4000В. Применение:сварка, источники питания, ИБП, промышленные приводы |
LLG300H17E4L | IGBT модуль, полумост, 62мм B, 1700В, 300А | Корпус 62х107х31мм, полумост, технология кристалла IGBT4 Trench-FS, Vces/Vrrm=1700В, Ic(nom)=300А, низкие статические потери, Vce(sat)=2, 0В, Uизол=4000В. Применение:сварка, источники питания, ИБП, промышленные приводы |
LLG450H17E4L | IGBT модуль, полумост, 62мм B, 1700В, 450А | Корпус 62х107х31мм, полумост, технология кристалла IGBT4 Trench-FS, Vces/Vrrm=1700В, Ic(nom)=450А, низкие статические потери, Vce(sat)=2, 0В, Uизол=4000В. Применение:сварка, источники питания, ИБП, промышленные приводы |
IGBT модули 1200В,1700В, тип корпуса B, представляют собой высокоэффективные полупроводниковые устройства, используемые в различных промышленных и энергетических приложениях. Эти модули обеспечивают надежное управление мощностью в условиях высоких напряжений, что делает их идеальными для применения в инверторах, преобразователях и других системах управления электропитанием.
Ключевые характеристики:
- Напряжение: Максимальное рабочее напряжение составляет 1700В, что позволяет использовать модули в средах с высоким уровнем электронагрузки.
- Корпус: Тип корпуса B имеет размеры 62 мм, который оптимизирован для эффективного теплоотведения и стабильной работы при высоких токах, что критически важно для надежности и долговечности устройства.
- Производительность: Высокая скорость переключения позволяет минимизировать потери энергии, обеспечивая при этом отличные характеристики при работе с высокими частотами.
- Теплоотвод: Модули сконструированы с учетом эффективного теплоотведения, что способствует улучшенной надежности и снижению риска перегрева.
- Применение: Широко используются в таких областях, как солнечные инверторы, системы управления приводами, источники бесперебойного питания (ИБП) и электрические транспортные средства.
- Конструктивные особенности: Модули могут включать в себя встроенные элементы защиты, такие как диоды, что упрощает использование и увеличивает общую надежность системы.
IGBT модули 1700В, корпус B, являются отличным выбором для продвинутых технологических решений в области управления энергией, предоставляя высокую эффективность, надежность и устойчивость к внешним воздействиям.
Параметр | Значение |
---|---|
Тип корпуса | B |
Размеры корпуса | 62 x 107 x 31 мм |
Конфигурация | Полумост |
Технология кристалла | IGBT4 Trench-FS |
Напряжение Vces/Vrrm | 1200 В / 1700 В |
Номинальный ток Ic(nom) | 100 А / 300 А / 400 А / 450 А |
Статические потери | Низкие |
Напряжение насыщения Vce(sat) | 2,0 В |
Изоляционное напряжение Uизол | 4000 В |
Применение |
Сварка, источники питания, ИБП, промышленные приводы |
- Напряжение питания, В
- 1200, 1700
- Габариты, мм
- 62х107х31
- Тип корпуса
- B