IGBT модули 1200В ECDUAL3 полумост

Производитель: Beiyi Semiconductor Technology

IGBT модули ECDUAL3 представляют собой высокоэффективные полумостовые решения, разработанные для применения в различных областях, включая сервоприводы, ветроэнергетику, источники бесперебойного питания (ИБП) и промышленные приводы. Эти модули обладают следующими ключевыми характеристиками:
Артикул Наименование Описание
LEP600H12R4 IGBT модуль 1200В, 600А, ECDUAL3 полумост Корпус 152х62х17мм, полумост, технология кристалла IGBT4 Trench-FS, Vces/Vrrm=1200В, Ic(nom)=600А, низкие статические потери, Vce(sat)=1, 8В, Uизол=2500В. Применение сервоприводы ветроэнергетика, ИБП, промышленные приводы
LEP450H12R4L IGBT модуль 1200В, 450А, ECDUAL3 полумост Корпус 152х62х17мм, полумост, технология кристалла IGBT4 Trench-FS, Vces/Vrrm=1200В, Ic(nom)=450А, низкие статические потери, Vce(sat)=1, 8В, Uизол=2500В. Применение сервоприводы ветроэнергетика, ИБП, промышленные приводы
LEP300H12E4L IGBT модуль 1200В, 300А, ECDUAL3 полумост Корпус 152х62х17мм, полумост, технология кристалла IGBT4 Trench-FS, Vces/Vrrm=1200В, Ic(nom)=300А, низкие статические потери, Vce(sat)=1, 8В, Uизол=2500В. Применение сервоприводы ветроэнергетика, ИБП, промышленные приводы

IGBT модули ECDUAL3 представляют собой высокоэффективные полумостовые решения, разработанные для применения в различных областях, включая сервоприводы, ветроэнергетику, источники бесперебойного питания (ИБП) и промышленные приводы.

Эти модули обладают следующими ключевыми характеристиками:

  • Номинальное напряжение: 1200 В, что обеспечивает надежную работу в условиях высоких напряжений.
  • Номинальный ток: доступные варианты с номинальным током 600 А, 450 А и 300 А, что позволяет выбирать модуль в зависимости от требований конкретного применения.
  • Технология кристалла: ИGBT4 Trench-FS, обеспечивающая отличные характеристики переключения и низкие статические потери.
  • Потери при насыщении: Vce(sat) составляет всего 1,8 В, что минимизирует потери энергии и улучшает общую эффективность системы.
  • Изоляция: высокая изоляция до 2500 В, что гарантирует надежность и безопасность в эксплуатации.

Корпус модуля имеет размеры 152 x 62 x 17 мм, что позволяет удобно интегрировать его в различные системы, сохраняя при этом эффективное охлаждение. IGBT модули ECDUAL3 идеально подходят для применения в высоковольтных и высокопроизводительных системах, таких как промышленные приводы и альтернативная энергетика, благодаря своей высокой надежности и эффективности.

Параметр Значение
Модель IGBT модуль ECDUAL3
Конфигурация Полумост
Корпус 152 x 62 x 17 мм
Технология кристалла IGBT4 Trench-FS
Максимальное напряжение (Vces/Vrrm) 1200 В
Номинальный ток (Ic(nom)) 600 А, 450 А, 300 А
Статические потери Низкие
Напряжение насыщения (Vce(sat)) 1.8 В
Изоляционное напряжение (Uизол) 2500 В
Применение Серводвигатели, ветроэнергетика, ИБП, промышленные приводы
Напряжение питания, В
1200
Габариты, мм
152х62х17