IGBT модули 1200В ECPIM 3
Производитель: Beiyi Semiconductor Technology
IGBT модули ECPIM 3 с напряжением 1200 В представляют собой высокоинтегрированные устройства, специально разработанные для эффективного управления мощными электронными нагрузками. Эти модули имеют трехфазный диодный выпрямительный мост и трехфазный IGBT мост (инвертор), а также нижний чоппер и встроенный датчик температуры, что обеспечивает стабильную работу и защиту от перегрева.Артикул | Наименование | Описание |
LWP75H12E4L-7M | ECPIM 3 IGBT модуль 75А 1200В | IGBT модуль серии ECPIM3 высокоинтегрированный модуль, топология которого содержит 3-х фазный диодный выпрямительный мост. 3-х фазный IGBT мост (инвертор), нижний чоппер и датчик температуры. Корпус ECPIM3a/3b размером 122х62х17 мм. технология кристалла IGBT4 Trench-FS, Vces/Vrrm=1200В, Ic(nom)=75А, низкие статические потери, Vce(sat)=2, 1В, Uизол=2500В. Применение сервоприводы, ИБП, промышленные приводы |
LWP100H12E4L-7M | ECPIM 3 IGBT модуль 100А 1200В | IGBT модуль серии ECPIM3 высокоинтегрированный модуль, топология которого содержит 3-х фазный диодный выпрямительный мост. 3-х фазный IGBT мост (инвертор), нижний чоппер и датчик температуры. Корпус ECPIM3a/3b размером 122х62х17 мм. технология кристалла IGBT4 Trench-FS, Vces/Vrrm=1200В, Ic(nom)=100А, низкие статические потери, Vce(sat)=2, 1В, Uизол=2500В. Применение сервоприводы, ИБП, промышленные приводы |
LWP75H12E3L-7M | ECPIM 3 IGBT модуль 75А 1200В | IGBT модуль серии ECPIM3 высокоинтегрированный модуль, топология которого содержит 3-х фазный диодный выпрямительный мост. 3-х фазный IGBT мост (инвертор), нижний чоппер и датчик температуры. Корпус ECPIM3a/3b размером 122х62х17 мм. технология кристалла IGBT3 Trench-FS, Vces/Vrrm=1200В, Ic(nom)=75А, низкие статические потери, быстродействующий, Vce(sat)=2, 1В, Uизол=2500В. Применение сервоприводы, ИБП, промышленные приводы |
LWP100H12E3L-7M | ECPIM 3 IGBT модуль 100А 1200В | IGBT модуль серии ECPIM3 высокоинтегрированный модуль, топология которого содержит 3-х фазный диодный выпрямительный мост. 3-х фазный IGBT мост (инвертор), нижний чоппер и датчик температуры. Корпус ECPIM3a/3b размером 122х62х17 мм. технология кристалла IGBT3 Trench-FS, Vces/Vrrm=1200В, Ic(nom)=100А, низкие статические потери, быстродействующий, Vce(sat)=2, 1В, Uизол=2500В. Применение сервоприводы, ИБП, промышленные приводы |
IGBT модули ECPIM 3 с напряжением 1200 В представляют собой высокоинтегрированные устройства, специально разработанные для эффективного управления мощными электронными нагрузками. Эти модули имеют трехфазный диодный выпрямительный мост и трехфазный IGBT мост (инвертор), а также нижний чоппер и встроенный датчик температуры, что обеспечивает стабильную работу и защиту от перегрева.
Корпус модулей ECPIM3a/3b имеет оптимальные размеры 122х62х17 мм, что позволяет легко интегрировать их в различные системы. Использование передовой технологии кристаллов IGBT4 и IGBT3 Trench-FS обеспечивает надежную работу с напряжением Vces/Vrrm до 1200 В и номинальным током Ic(nom) в 75 А и 100 А. Это решение отличается низкими статическими потерями, с Vce(sat) равным 2,1 В и гальванической изоляцией до 2500 В (Uизол).
Модули ECPIM 3 находят широкое применение в сервоприводах, источниках бесперебойного питания (ИБП) и промышленных приводах, обеспечивая высокую производительность и эффективность для промышленных решений. Их высокая интеграция и надежность делают эти IGBT модули идеальными для современных энергетических систем и автоматизированных процессов.
Параметр | Значение |
---|---|
Тип модуля | Высокоинтегрированный IGBT модуль серии ECPIM3 |
Топология | Трехфазный диодный выпрямительный мост, трехфазный IGBT мост (инвертор), нижний чоппер, датчик температуры |
Размер корпуса | 122 х 62 х 17 мм (ECPIM3a/3b) |
Технология кристаллов | IGBT4 и IGBT3 Trench-FS |
Максимальное напряжение (Vces/Vrrm) | 1200 В |
Номинальный ток (Ic(nom)) | 75 А и 100 А |
Статические потери (Vce(sat)) | 2,1 В |
Гальваническая изоляция (Uизол) | 2500 В |
Применения | Сервоприводы, источники бесперебойного питания (ИБП), промышленные приводы |
Преимущества |
Высокая интеграция, надежность, низкие потери энергии |