IGBT модули 1700В ECDUAL3 полумост

Производитель: Beiyi Semiconductor Technology

IGBT модуль ECDUAL3 с рабочим напряжением 1700 В и конструкцией полумоста представляет собой передовое решение для высоковольтных приложений. Он объединяет в себе высокую производительность и надежность, что делает его идеальным для использования в различных областях, включая сервоприводы, ветроэнергетику, источники бесперебойного питания (ИБП), промышленные приводы и солнечную энергетику.
Артикул Наименование Описание
LEP450H17R4L IGBT модули 1700В, 450А, ECDUAL3 полумост Корпус 152х62х17мм, полумост, технология кристалла IGBT4 Trench-FS, Vces/Vrrm=1700В, Ic(nom)=450А, низкие статические потери, Vce(sat)=1, 65В, , изол=4000В. Применение сервоприводы ветроэнергетика, ИБП, промышленные приводы, солнечная энергетика
LEP600H17R4L IGBT модули 1700В, 600А, ECDUAL3 полумост Корпус 152х62х17мм, полумост, технология кристалла IGBT4 Trench-FS, Vces/Vrrm=1700В, Ic(nom)=600А, низкие статические потери, Vce(sat)=1, 65В, Uизол=4000В. Применение сервоприводы ветроэнергетика, ИБП, промышленные приводы, солнечная энергетика

IGBT модуль ECDUAL3 с рабочим напряжением 1700 В и конструкцией полумоста представляет собой передовое решение для высоковольтных приложений. Он объединяет в себе высокую производительность и надежность, что делает его идеальным для использования в различных областях, включая сервоприводы, ветроэнергетику, источники бесперебойного питания (ИБП), промышленные приводы и солнечную энергетику.

Ключевые характеристики:

  • Корпус: Компактные размеры 152 x 62 x 17 мм обеспечивают удобство монтажа и возможность интеграции в ограниченные пространства.
  • Технология: Использование кристаллов IGBT4 Trench-FS позволяет добиться низких статических потерь, что повышает общую эффективность работы устройства.
  • Напряжение: Максимальное коллектор-эмиттерное напряжение (Vces/Vrrm) достигает 1700 В, что делает модуль подходящим для высоковольтных приложений.
  • Ток: Номинальный коллекторный ток (Ic(nom)) составляет 450 А, что в сочетании с пиковым значением в 600 А обеспечивает необходимую мощность для требовательных задач.
  • Потери: Низкое насыщение коллектор-эмиттерного напряжения (Vce(sat) = 1,65 В) позволяет минимизировать потери энергии при работе.
  • Изоляция: Высокий уровень изоляции (4000 В) гарантирует надежную защиту от электрических пробоев.

Применение:

IGBT модуль ECDUAL3 идеален для использования в системах, требующих высокой надежности и эффективности. Он находит свое применение в:

  • Сервоприводах: Обеспечивает точное и эффективное управление двигателями.
  • Ветроэнергетике: Способствует надежному преобразованию энергии от ветровых турбин.
  • Источниках бесперебойного питания: Гарантирует стабильное электроснабжение в критических условиях.
  • Промышленных приводах: Поддерживает работу тяжёлого оборудования с высокой производительностью.
  • Солнечной энергетике: Обеспечивает эффективное преобразование солнечной энергии в электрическую.

Таким образом, IGBT модуль ECDUAL3 является высокоэффективным и надежным компонентом для разнообразных энергетических и промышленных приложений, предоставляя пользователям отличные характеристики производительности и долговечности.

Параметр Значение
Тип IGBT модуль
Модель ECDUAL3
Конфигурация Полумост
Корпус 152 х 62 х 17 мм
Технология кристалла IGBT4 Trench-FS
Максимальное напряжение Vces/Vrrm = 1700 В
Номинальный ток Ic(nom) = 450 А
Максимальный ток 600 А
Статические потери Низкие
Напряжение на коллекторе Vce(sat) = 1.65 В
Изоляция 4000 В
Применение Сервоприводы, Ветроэнергетика, ИБП, Промышленные приводы, Солнечная энергетика