IGBT модули 1200В EconoDUAL 3

Производитель: Solidpower

IGBT модули 1200В серии EconoDUAL 3 представлены тремя моделями: SPS450B12D3 (1200В, 450А), SPS600B12D3 (1200В, 600А), SPS900B12D3 (1200В, 900А). 

Корпус: 62х152х17мм, полумост, технология кристалла IGBT Trench-FS, среднее быстродействие. 

Применение: промышленные приводы, строительный электротранспорт, ИБП, солнечная энергетика. 

SPS450B12D3 IGBT модуль, полумост, EconoDUAL 3, 1200В, 450А, среднее быстродействие Корпус: 62х152х17мм, полумост, технология кристалла IGBT Trench-FS, Vces/Vrrm=1200В, Ic(nom)=450А, Vct(sat)=1,75В, быстродействие 8-12кГц
SPS600B12D3 IGBT модуль, полумост, EconoDUAL 3, 1200В, 600А, среднее быстродействие Корпус: 62х152х17мм, полумост, технология кристалла IGBT Trench-FS, Vces/Vrrm=1200В, Ic(nom)=450А, Vct(sat)=1,75В, быстродействие 8-12кГц
SPS900B12D3 IGBT модуль, полумост, EconoDUAL 3,1200В, 900А, среднее быстродействие Корпус: 62х152х17мм, полумост, технология кристалла IGBT Trench-FS, Vces/Vrrm=1200В, Ic(nom)=900А, Vct(sat)=1,75В, быстродействие 8-12кГц
Insulated-gate bipolar transistor, IGBT — трёхэлектродный силовой полупроводниковый прибор, сочетающий в одной полупроводниковой структуре два транзистора: биполярный (образующий силовой канал) и полевой (образующий канал управления). 

IGBT модули 1200В EconoDUAL 3 - модули среднего быстродействия. Характеристики: полумост,1200В, 900А/600А/450А, 62х152х17мм, технология кристалла IGBT Trench-FS, Vces/Vrrm=1200В, Ic(nom)=900А, Vct(sat)=1,75В, быстродействие 8-12кГц.

Применение: промышленные приводы, строительный электротранспорт, ИБП, солнечная энергетика.
Габариты, мм
62 х 152 х 17
/