SPS25P12M2M4
|
IGBT модуль трёхфазный выпрямитель, IGBT мост, чоппер, 1200В, 25А
|
Корпус EconoPIM2, 45х107х17 мм, интегрированный модуль питания в составе трехфазного диодного моста, трехфазного IGBT моста, чоппера и термистора. Технология кристалла Trench-FS, Vces=1200В, Ic(nom)=25А, Vct(sat)=1,9В
|
SPS35P12M2M4
|
IGBT модуль трёхфазный выпрямитель, IGBT мост, чоппер, 1200В, 35А
|
Корпус EconoPIM2, 45х107х17 мм, интегрированный модуль питания в составе трехфазного диодного моста, трехфазного IGBT моста, чоппера и термистора. Технология кристалла Trench-FS, Vces=1200В, Ic(nom)=35А, Vct(sat)=1,9В
|
SPS50P12M2M4
|
IGBT модуль трёхфазный выпрямитель, IGBT мост, чоппер, 1200В, 50А
|
Корпус EconoPIM2, 45х107х17 мм, интегрированный модуль питания в составе трехфазного диодного моста, трехфазного IGBT моста, чоппера и термистора. Технология кристалла Trench-FS, Vces=1200В, Ic(nom)=50А, Vct(sat)=1,65В
|
SPS25P50M3M4
|
IGBT модуль трёхфазный выпрямитель, IGBT мост, чоппер, 1200В, 50А
|
Корпус EconoPIM3, 62х122х17 мм, интегрированный модуль питания в составе трехфазного диодного моста, трехфазного IGBT моста, чоппера и термистора. Технология кристалла Trench-FS, Vces=1200В, Ic(nom)=50А, Vct(sat)=1,65В
|
SPS25P75M3M4
|
IGBT модуль трёхфазный выпрямитель, IGBT мост, чоппер, 1200В, 75А
|
Корпус EconoPIM3, 62х122х17 мм, интегрированный модуль питания в составе трехфазного диодного моста, трехфазного IGBT моста, чоппера и термистора. Технология кристалла Trench-FS, Vces=1200В, Ic(nom)=75А, Vct(sat)=1,8В
|
SPS25P100M3M4
|
IGBT модуль трёхфазный выпрямитель, IGBT мост, чоппер, 1200В, 100А
|
Корпус EconoPIM3, 62х122х17 мм, интегрированный модуль питания в составе трехфазного диодного моста, трехфазного IGBT моста, чоппера и термистора. Технология кристалла Trench-FS, Vces=1200В, Ic(nom)=100А, Vct(sat)=1,65В
|
SPS150P12M3M4
|
IGBT модуль трёхфазный выпрямитель, IGBT мост, чоппер, 1200В, 150А
|
Корпус EconoPIM3, 62х122х17 мм, интегрированный модуль питания в составе трехфазного диодного моста, трехфазного IGBT моста, чоппера и термистора. Технология кристалла Trench-FS, Vces=1200В, Ic(nom)=150А, Vct(sat)=1,65В
|