IGBT модули 1200В EconoPACK

Производитель: Solidpower

IGBT модули 1200В EconoPACK представлены пятью моделями с различными показателями: IGBT модуль, трехфазный мост, 1200В, 50А/75А/100А/150А/200А. 

Корпус: EconoPACK2/EconoPACK3, 45х107х17мм.

Применение: промышленные приводы, источники бесперебойного питания, бытовая белая техника.
SPS50F12K2M4 IGBT модуль, трехфазный мост, 1200В, 50А Корпус EconoPACK2, 45х107х17мм, трехфазный мост с интегрированным термистором. Технология кристалла Trench-FS Vces=1200В, Ic(nom)=50А, Vct(sat)=1,8В
SPS75F12K2M4 IGBT модуль, трехфазный мост, 1200В, 75А Корпус EconoPACK2, 45х107х17мм, трехфазный мост с интегрированным термистором. Технология кристалла Trench-FS Vces=1200В, Ic(nom)=75А, Vct(sat)=1,8В
SPS100F12K3M4 IGBT модуль, трехфазный мост, 1200В, 100А Корпус EconoPACK3, 45х107х17мм, трехфазный мост с интегрированным термистором. Технология кристалла Trench-FS Vces=1200В, Ic(nom)=100А, Vct(sat)=1,65В
SPS150F12K3M4 IGBT модуль, трехфазный мост, 1200В, 150А Корпус EconoPACK3, 45х107х17мм, трехфазный мост с интегрированным термистором. Технология кристалла Trench-FS Vces=1200В, Ic(nom)=150А, Vct(sat)=1,65В
SPS200F12K3M4 IGBT модуль, трехфазный мост, 1200В, 200А Корпус EconoPACK3, 45х107х17мм, трехфазный мост с интегрированным термистором. Технология кристалла Trench-FS Vces=1200В, Ic(nom)=200А, Vct(sat)=1,65В
Insulated-gate bipolar transistor, IGBT — трёхэлектродный силовой полупроводниковый прибор.

Серия IGBT модулей 1200В EconoPACK представлена пятью моделями с различными показателями: трехфазный мост, 1200В, 50А/75А/100А/150А/200А. 

Корпус: EconoPACK2/EconoPACK3, 45х107х17мм.

Применение: промышленные приводы, источники бесперебойного питания, бытовая белая техника.
Габариты, мм
45 х 107 х 17
/
ыпрямитель, IGBT мост, чоппер, 1200В, 25А/35А/50А/75А/100А/150А

IGBT модули 1200В EconoPACK

IGBT модули 1200В EconoPACK2/3: трехфазный мост, 1200В, 50А/75А/100А/150А/200А, 45х107х17мм, Vct(sat)=1,8В.

SiC MOSFET модуль 1200В

SiC MOSFET модуль 1200В: 62х152х17мм, полумост на MOSFET транзисторах, технология кристалла SiC MOSFET, Vces/Vrrm=1200В, Id(nom)=300/120А, Rds(sat)=5мОм, Vsd=1,7В