{{ category.title }}
По вашему запросу ничего не нашлось
Продукция
SiC MOSFET модуль 1200В
SiC MOSFET модуль 1200В: 62х152х17мм, полумост на MOSFET транзисторах, технология кристалла SiC MOSFET, Vces/Vrrm=1200В, Id(nom)=300/120А, Rds(sat)=5мОм, Vsd=1,7В
IGBT модули 1200В EconoPACK
IGBT модули 1200В EconoPACK2/3: трехфазный мост, 1200В, 50А/75А/100А/150А/200А, 45х107х17мм, Vct(sat)=1,8В.
IGBT модули 1200В EconoPIM
IGBT модули 1200В EconoPIM - 45 х 107 х 17 и 62 х 122 х 17 мм, трёхфазный выпрямитель, IGBT мост, чоппер, 1200В, 25А/35А/50А/75А/100А/150А
IGBT модули 1700В EconoDUAL 3
IGBT модуль, полумост, EconoDUAL 3, 1700В, 450А/600, низкое быстродействие, 62х152х17мм.
IGBT модули 1700В 34 и 62мм
IGBT модули 1700В 34 и 62 мм: 34 х 94 х 31 мм и 62 х 107 х 31 мм, полумост, 34мм/62мм, 1700В,75А/100А/150А/200А/300А, low loss, низкое быстродействие.
IGBT модули 1200В EconoDUAL 3
IGBT модуль EconoDUAL 3: полумост,1200В, 900А/600А/450А, среднее быстродействие, 62х152х17мм, технология кристалла IGBT Trench-FS, Vces/Vrrm=1200В, Ic(nom)=900А, Vct(sat)=1,75В, быстродействие 8-12кГц
SPS50B12G3 IGBT модуль, полумост, 34мм, 1200В, 50А, быстродействующий
SPS50B12G3 Корпус 34х94х31мм, полумост, технология кристалла IGBT Planar-FS, Vces/Vrrm=1200В, Ic(nom)=50А, Vct(sat)=2,5В, быстродействие 12-25кГц. Применение:сварка, индукционный нагрев,силовые схемы с быстрым переключением
Расширяем ассортимент поставляемой продукции!
06 сентября 2022
