StarPower

SiC MOSFET модули:1200В,1700В/120…400А

MOSFET модули на карбиде кремния (SiC): рабочие напряжения Usd=1200В,1700В. Токи стока 120…400А

MOSFET модули 100В,150В, 500В/80….2000А

MOSFET модули: Рабочие напряжения Usd=100В,150В, 500В, токи стока 80….2000А

IGBT модули большой мощности

IGBT модули большой мощности: Рабочие напряжения Uce-=1200В,1700В, 3300В. Токи коллектора 450….3600А

IGBT модули средней мощности

IGBT модули средней мощности: рабочие напряжения Uce-=650 В,1200 В, 1700 В. Токи коллектора 50….600 А.

IGBT модули малой мощности

IGBT модули малой мощности: рабочие напряжения Uce-=650 В, 1200 В, 1700 В. Токи коллектора: 10….200А

SiC MOSFET модули:1200В,1700В/120…400А

MOSFET модули на карбиде кремния (SiC): рабочие напряжения Usd=1200В,1700В. Токи стока 120…400А

MOSFET модули 100В,150В, 500В/80….2000А

MOSFET модули: Рабочие напряжения Usd=100В,150В, 500В, токи стока 80….2000А

IGBT модули большой мощности

IGBT модули большой мощности: Рабочие напряжения Uce-=1200В,1700В, 3300В. Токи коллектора 450….3600А

IGBT модули средней мощности

IGBT модули средней мощности: рабочие напряжения Uce-=650 В,1200 В, 1700 В. Токи коллектора 50….600 А.

IGBT модули малой мощности

IGBT модули малой мощности: рабочие напряжения Uce-=650 В, 1200 В, 1700 В. Токи коллектора: 10….200А